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一、半導(dǎo)體設(shè)備碳化 硅（SiC）零部件行業(yè)的相關(guān)基本概念

（一）半導(dǎo)體設(shè)備零部件行業(yè)的基本概況

半導(dǎo)體行業(yè)遵循“一代技術(shù)、一代工藝、一代設(shè)備”的產(chǎn)業(yè)規(guī)律，半導(dǎo)體設(shè)備的升級迭代很大程度上有賴于其零部件的技術(shù)突破。精密零部件不僅是半導(dǎo)體設(shè)備制造環(huán)節(jié)中難度較大、技術(shù)含量較高的環(huán)節(jié)之一，也是我國半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展較薄弱的環(huán)節(jié)之一。半導(dǎo)體設(shè)備零部件處于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游位置，下游包括半導(dǎo)體設(shè)備廠商和晶圓廠商。半導(dǎo)體設(shè)備廠商在設(shè)備生產(chǎn)階段需要采購各種通用、定制化零部件，安裝、調(diào)試后對外銷售；而晶圓廠商采購的零部件通常為使用壽命較短的零部件、備件，用于生產(chǎn)線上持續(xù)使用的設(shè)備的定期更換。

根據(jù)中銀證券研究報告，參考半導(dǎo)體設(shè)備上市公司的財務(wù)數(shù)據(jù)，半導(dǎo)體設(shè)備零部件及原材料的采購成本占半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)營業(yè)成本的 80%-90% ，且半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)的毛利率普遍在 40%-60% 之間，即營業(yè)成本占營業(yè)收入的比重平均在50%左右，因此半導(dǎo)體設(shè)備零部件及其他原材料市場規(guī)模相當于全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模的40%-45%范圍內(nèi)，其中半導(dǎo)體零部件占據(jù)大部分。據(jù)SEMI 預(yù)計2022 年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模有望達到 1,175 億美元，由此推測全球半導(dǎo)體零部件的市場規(guī)模估計 400 億美元左右。半導(dǎo)體設(shè)備零部件市場空間廣闊。

半導(dǎo)體設(shè)備零部件種類繁多，不同零部件功能和技術(shù)難點差異較大，整體市場競爭格局較為分散，但主要細分市場內(nèi)部集中度極高，主要被美日歐等海外廠商占據(jù)，各細分領(lǐng)域龍頭供應(yīng)商大多是專長于單一或少數(shù)品類。

按照主要材料不同，半導(dǎo)體設(shè)備零部件可以分為硅/碳化硅件、石英件、陶瓷件、金屬件、石墨件、塑料件等。其中，碳化硅件和石墨件，目前國產(chǎn)化率較低。

（二）半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅零部件的基本概況

1、碳化硅零部件行業(yè)的基本概況

碳化硅（SiC）作為重要的高端精密半導(dǎo)體材料，由于具有良好的耐高溫、耐腐蝕性、耐磨性、高溫力學(xué)性、抗氧化性等特性，在半導(dǎo)體、核能、國防及空間技術(shù)等高科技領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。碳化硅零部件，即以碳化硅及其復(fù)合材料為主要材料的設(shè)備零部件，被廣泛應(yīng)用于外延生長、等離子體刻蝕、快速熱處理、薄膜沉積、氧化/擴散、離子注入等主要半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)的設(shè)備中。

根據(jù)晶體結(jié)構(gòu)不同，碳化硅主要分為六方或菱面體的α-SiC 和立方體的β-SiC 等。其中，志橙半導(dǎo)體的碳化硅涂層石墨零部件及實體碳化硅零部件產(chǎn)品均屬于 CVD 法制備的β-SiC 產(chǎn)品。

來源：上市公司公告、高禾投資研究中心

根據(jù)制造工藝不同，碳化硅零部件可分為化學(xué)氣相沉積碳化硅（CVD SiC）、反應(yīng)燒結(jié)碳化硅、重結(jié)晶燒結(jié)碳化硅、常壓燒結(jié)碳化硅、熱壓燒結(jié)碳化硅、熱等靜壓燒結(jié)碳化硅等。其中，志橙半導(dǎo)體生產(chǎn)銷售的碳化硅涂層石墨零部件產(chǎn)品及研發(fā)的實體碳化硅零部件均為采用化學(xué)氣相沉積法制作的 CVD 碳化硅產(chǎn)品，目前正在研發(fā)的燒結(jié)碳化硅零部件為反應(yīng)燒結(jié)及重結(jié)晶燒結(jié)碳化硅產(chǎn)品。

來源：上市公司公告、高禾投資研究中心

各類工藝制備的碳化硅與其他材料參數(shù)差異如下表所示：

來源：上市公司公告、高禾投資研究中心

注1：純度指對物質(zhì)所含雜質(zhì)（元素、化合物或本身同系物）多寡的量度。

注2：密度指對特定體積內(nèi)的質(zhì)量的度量。

注3：孔隙率指塊狀材料中孔隙體積與材料在自然狀態(tài)下總體積的百分比。

注4：熱傳導(dǎo)率指對物質(zhì)導(dǎo)熱能力的量度，是指當溫度垂直向下梯度為1℃/m 時，單位時間內(nèi)通過單位水平截面積所傳遞的熱量。

注5：彎曲強度是指材料在彎曲負荷作用下破裂或達到規(guī)定彎矩時能承受的最大應(yīng)力。

注6：彈性模數(shù)指材料彈性應(yīng)變?yōu)? 時的彈性應(yīng)力。

注7：熱膨脹系數(shù)（線）指量度固體材料熱膨脹程度的物理量，是單位長度的物體，溫度升高一定溫度時，其長度的相對變化量。

可以看出相比其他材料部件，碳化硅材料零部件具備密度高、熱傳導(dǎo)率高、彎曲強度大、彈性模數(shù)大等特性，能夠適應(yīng)晶圓外延、刻蝕等制造環(huán)節(jié)的強腐蝕性、超高溫的惡劣反應(yīng)環(huán)境，因此廣泛應(yīng)用于外延生長設(shè)備、刻蝕設(shè)備、氧化/擴散/退火設(shè)備等主要半導(dǎo)體設(shè)備。

2、CVD 碳化硅零部件行業(yè)的基本概況

（1）CVD 碳化硅的相關(guān)基本概念

化學(xué)氣相沉積（CVD）是一種用于生產(chǎn)高純度固體材料的真空沉積工藝，該工藝經(jīng)常被半導(dǎo)體制造領(lǐng)域用于在晶圓表面形成薄膜。在CVD 法制備碳化硅的過程中，基板暴露在一個或多個揮發(fā)性前驅(qū)體中，這些前驅(qū)體在基板表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，沉積生成所需的碳化硅沉積物。在制備碳化硅材料的眾多方法中，化學(xué)氣相沉積法制備的產(chǎn)品具有較高的均勻性和純度，且該方法具有較強的工藝可控性。

來源：上市公司公告、高禾投資研究中心

CVD 碳化硅材料因其具有出色的熱、電和化學(xué)性質(zhì)的獨特組合，使其非常適合在需要高性能材料的半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用。CVD 碳化硅零部件被廣泛應(yīng)用于刻蝕設(shè)備、MOCVD 設(shè)備、Si 外延設(shè)備和SiC 外延設(shè)備、快速熱處理設(shè)備等領(lǐng)域。

整體來看，CVD 碳化硅零部件最大細分市場為刻蝕設(shè)備零部件。由于CVD 碳化硅對含氯和含氟刻蝕氣體的低反應(yīng)性、導(dǎo)電性，使其成為等離子體刻蝕設(shè)備聚焦環(huán)等部件的理想材料?？涛g設(shè)備中CVD 碳化硅零部件包含聚焦環(huán)、氣體噴淋頭、托盤、邊緣環(huán)等。以聚焦環(huán)為例，聚焦環(huán)是放置在晶圓外部、直接接觸晶圓的重要部件，通過將電壓施加到環(huán)上以聚焦通過環(huán)的等離子體，從而將等離子體聚焦在晶圓上以提高加工的均勻性。傳統(tǒng)的聚焦環(huán)由硅或石英制成，隨著集成電路微型化推進，集成電路制造對于刻蝕工藝的需求量、重要性不斷增加，刻蝕用等離子體功率、能量持續(xù)提高，尤其是電容耦合（CCP）等離子體刻蝕設(shè)備中所需等離子體能量更高，因此碳化硅材料制備的聚焦環(huán)使用率越來越高。

CVD 碳化硅聚焦環(huán)原理圖如下所示：

來源：QY Research、高禾投資研究中心

（2）CVD 碳化硅零部件全球市場規(guī)模

根據(jù)QY Research 數(shù)據(jù)統(tǒng)計及預(yù)測，2022 年全球CVD 碳化硅零部件市場規(guī)模達到8.13 億美元，預(yù)計2028 年將達到14.32 億美元，年復(fù)合增長率（CAGR）為9.89%。

來源：QY Research、高禾投資研究中心

（3）CVD 碳化硅零部件中國市場規(guī)模

根據(jù)QY Research 數(shù)據(jù)統(tǒng)計及預(yù)測，2022 年中國CVD 碳化硅零部件市場規(guī)模達到2.00 億美元，預(yù)計2028 年將達到4.26 億美元，年復(fù)合增長率（CAGR）為13.44%。

來源：QY Research、高禾投資研究中心

3、燒結(jié)碳化硅零部件行業(yè)的基本概況

高純燒結(jié)碳化硅零部件是集成電路熱處理裝備反應(yīng)腔內(nèi)不可或缺的零部件，主要包含立式舟（Vertical Boat）、底座（Pedestal）、襯爐管（Liner Tubes）、內(nèi)爐管（Inner Tubes）和隔熱擋板（Baffle Plates）等，具體使用形態(tài)如下：

來源：上市公司公告、高禾投資研究中心

日本京瓷集團、美國闊斯泰等國外公司占據(jù)了全球集成電路設(shè)備用高純燒結(jié)碳化硅市場大部分市場份額，其相關(guān)產(chǎn)品具有材料體系齊全、性能優(yōu)異、結(jié)構(gòu)復(fù)雜、加工精度高等特點，可以為光刻機、等離子刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、離子注入設(shè)備等集成電路核心設(shè)備提供專用組件。我國在半導(dǎo)體設(shè)備用燒結(jié)碳化硅零部件的研發(fā)、應(yīng)用方面起步較晚，在大尺寸、高精度、中空、閉孔、輕量化結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)零部件的制備領(lǐng)域有諸多關(guān)鍵技術(shù)問題有待突破。

志橙股份制備高純燒結(jié)碳化硅的主要方法為反應(yīng)燒結(jié)和重結(jié)晶燒結(jié)法。反應(yīng)燒結(jié)碳化硅是將碳化硅粉、碳源粉和有機結(jié)合劑按比例混合，壓制成素胚，后經(jīng)浸滲高溫熔融硅，熔融硅在表面張力的作用下沿著毛細管滲入素坯，反應(yīng)生成β-SiC，并與素胚中原有的α-SiC 相結(jié)合，同時游離硅填充毛細管與氣孔，從而得到高致密性的材料。

來源：《碳化硅陶瓷材料的制備工藝和應(yīng)用研究進展》、高禾投資研究中心

志橙股份基于自身在CVD 碳化硅的技術(shù)積累，將反應(yīng)燒結(jié)法與CVD 法相結(jié)合來制備碳化硅產(chǎn)品，即在反應(yīng)燒結(jié)制備的碳化硅制品表面制備CVD 膜層，可以解決反應(yīng)燒結(jié)材料物相不單一的問題。同時，因為碳化硅膜層的微觀結(jié)構(gòu)隨基底材料的不同而發(fā)生變化，在一定膜層厚度范圍內(nèi)，與石墨基底相比，以反應(yīng)燒結(jié)碳化硅為基底，通過CVD 法制備的碳化硅膜層硬度值更高。

二、半導(dǎo)體設(shè)備碳化硅（SiC）零部件行業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈分析

半導(dǎo)體設(shè)備碳化硅零部件行業(yè)屬于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈最上游，對于產(chǎn)業(yè)鏈具有重要影響，其客戶主要為半導(dǎo)體設(shè)備廠、外延片廠及晶圓廠，相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備主要用于制備功率器件、LED 芯片、集成電路、光伏等產(chǎn)品，主要可用于新能源汽車、LED、消費電子、光伏等終端市場。

半導(dǎo)體設(shè)備碳化硅零部件行業(yè)整體產(chǎn)業(yè)鏈位置如下圖所示：

來源：上市公司公告、高禾投資研究中心

（一）功率器件及新能源汽車市場

功率器件又稱電子電力器件，主要為用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面的大功率電子器件，主要包括IGBT、MOSFET 等。其中，志橙半導(dǎo)體SiC 外延設(shè)備零部件應(yīng)用于SiC 外延片制造環(huán)節(jié)，其下游應(yīng)用主要為碳化硅基功率器件；志橙半導(dǎo)體 Si 外延設(shè)備零部件應(yīng)用于Si 外延片制造環(huán)節(jié)，下游部分產(chǎn)品也可用于硅基功率器件。

相比傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體，碳化硅材料具有卓越的物理性質(zhì)，可滿足在高壓（高擊穿電場強度、高禁帶寬度）、高溫（高熱導(dǎo)率、高禁帶寬度）、高頻（高飽和電子漂移速率）等環(huán)境下工作的需求并擁有更高的功率密度和更低的導(dǎo)通損耗，因此被廣泛用于制作適應(yīng)高壓大功率的電力電子裝置。

受新能源汽車、5G 網(wǎng)絡(luò)通信、軌道交通等下游市場蓬勃發(fā)展影響，目前碳化硅功率器件商業(yè)化落地速度較快，據(jù)Yole 預(yù)測，全球碳化硅功率器件市場規(guī)模將從2021 年的11 億美元增長至2027 年的63 億美元。從應(yīng)用領(lǐng)域看，未來新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用將會主導(dǎo)該市場，至2027 年該領(lǐng)域應(yīng)用市場將占全球碳化硅功率器件市場的79%。

來源：Yole report、高禾投資研究中心

作為電力電子轉(zhuǎn)換器件，碳化硅功率器件在新能源汽車產(chǎn)業(yè)存在五個主要應(yīng)用場景包括電機控制器、車載充電機、直流-直流變換器、空調(diào)系統(tǒng)以及充電樁。由此看出，新能源汽車的發(fā)展將成為未來碳化硅功率器件的主要驅(qū)動力。

（二）LED 芯片及LED 市場

LED 是利用半導(dǎo)體二極管的電致發(fā)光效應(yīng)，將電能轉(zhuǎn)化為光能，使像素單元實現(xiàn)主動發(fā)光的器件。

LED 產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)如下圖：

來源：上市公司公告、高禾投資研究中心

碳化硅涂層石墨基座為MOCVD 設(shè)備零部件，用于承載單晶襯底在MOCVD 反應(yīng)腔中生長外延層。

根據(jù)CSA Research 報告，2021 年中國LED 產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值約為7,773 億元，增速約10.8%，其中，上游外延片及芯片規(guī)模為305 億元，中游封裝規(guī)模為916 億元，下游應(yīng)用規(guī)模為6,552 億元。下游應(yīng)用中通用照明是最大的應(yīng)用市場，占比約46%；顯示屏是第二大應(yīng)用市場，市場占比約15%；背光市場占比約8%；汽車照明占比2%，呈上升趨勢。隨著Mini/ Micro LED 技術(shù)進步，Mini/Micro LED、車用LED、紫外/紅外LED 為代表的細分領(lǐng)域市場需求進一步擴大，新一輪行業(yè)驅(qū)動力已形成。

（三）集成電路及消費電子市場

集成電路芯片制造現(xiàn)已成為各行各業(yè)實現(xiàn)信息化、智能化的基礎(chǔ)與核心，是支撐國家經(jīng)濟社會發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，集成電路及下游產(chǎn)業(yè)鏈如下圖：

來源：上市公司公告、高禾投資研究中心

Si 外延設(shè)備零部件應(yīng)用于Si 外延片制造環(huán)節(jié)，Si 外延片可以用于制備集成電路、分立器件；聚焦環(huán)等刻蝕設(shè)備零部件、碳化硅爐管等熱處理設(shè)備零部件即用于集成電路前道設(shè)備芯片制造環(huán)節(jié)。

中國半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)雖起步較晚，但憑借巨大的市場需求、經(jīng)濟的穩(wěn)定發(fā)展和有利的政策環(huán)境等眾多優(yōu)勢條件，已成為全球集成電路行業(yè)增長的主要驅(qū)動力。近年來，隨著消費電子、移動互聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、工業(yè)控制、醫(yī)療電子等市場需求的不斷提升，以及國家支持政策的不斷提出，中國集成電路行業(yè)發(fā)展較快。2013 年至2021 年，中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額增長迅速，年均復(fù)合增長率約為19.54%。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會預(yù)測，中國集成電路產(chǎn)業(yè)未來幾年將繼續(xù)保持10%以上的增長率，預(yù)計2022 年集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額達到12,036.6 億元。中國集成電路市場規(guī)模及增長率變動如下圖所示：

來源：中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、高禾投資研究中心

（四）光伏硅片及光伏市場

全球光伏硅料、硅片、電池片、組件80%-90%的產(chǎn)能集中在中國，產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)中國制造、輸出全球的狀態(tài)。在光伏行業(yè)“降本增效”的目標驅(qū)動下，顆粒硅、大尺寸、薄片化、異質(zhì)結(jié)等技術(shù)不斷進步、應(yīng)用，促進光伏產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)能加速迭代擴張。

根據(jù)國際能源署數(shù)據(jù)，近年來全球光伏發(fā)電裝機總量穩(wěn)步提升。截至2021 年末，全球累計光伏發(fā)電裝機總量達942GW，2021 年全球光伏市場新增裝機量175GW，同比增長22.82%，2012-2021 年間新增裝機容量復(fù)合增長率達21.65%，數(shù)據(jù)如下圖：

來源：國際能源署、高禾投資研究中心

光伏行業(yè)降本提效穩(wěn)步推進，疊加全球各國可再生能源政策的頒布與執(zhí)行，預(yù)計全球光伏累計裝機容量將繼續(xù)保持增長態(tài)勢。

三、半導(dǎo)體設(shè)備碳化硅（SiC）零部件行業(yè)的競爭格局和核心玩家

（一）競爭格局

目前，半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅零部件領(lǐng)域整體呈現(xiàn) 高度壟斷的市場競爭格局，市場上碳素巨頭技術(shù)領(lǐng)先、產(chǎn)品線豐富，以東海碳素、崇德昱博、西格里碳素、東洋炭素等為代表的傳統(tǒng)國外供應(yīng)商占據(jù)了全球及中國市場的主要份額。目前，我國半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅零部件國產(chǎn)化率較低，本土廠商起步較晚，且整體處于追趕國外狀態(tài)，仍有較大發(fā)展空間。

2022 年全球市場主要廠商CVD 碳化硅零部件市場份額如下所示：

來源：QY Research、高禾投資研究中心

根據(jù)QY Research 統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2022 年， CVD 碳化硅零部件領(lǐng)域全球市場前五大廠商的市場份額合計超過60%，志橙半導(dǎo)體以3.57%的市場占有率躋身全球第八，為前十大廠商中唯一一個中國廠商。

2022 年中國市場主要廠商CVD 碳化硅零部件市場份額如下所示：

來源：QY Research、高禾投資研究中心

目前，在中國CVD 碳化硅零部件市場中，崇德昱博、東海碳素、西格里碳素等國外企業(yè)仍占據(jù)主要市場份額，國產(chǎn)CVD 碳化硅產(chǎn)品市場份額占比不高。根據(jù)QY Research 統(tǒng)計數(shù)據(jù)， 2022 年，CVD 碳化硅零部件領(lǐng)域中國市場前五大廠商的市場份額合計超過85%，較全球市場集中度更高，志橙半導(dǎo)體以14.51%?的市場占有率在中國CVD 碳化硅零部件市場排名第三，在中國企業(yè)中排名第一，提高了本領(lǐng)域的國產(chǎn)化率。

（二）全球半導(dǎo)體設(shè)備零部件行業(yè)的核心玩家

全球半導(dǎo)體設(shè)備零部件行業(yè)中可以提供CVD 碳化硅等碳化硅零部件的主要企業(yè)如下所示：

1、東海碳素（Tokai Carbon）

該公司成立于1918 年，總部位于日本，東京證券交易所上市（股票代碼：5301.T），其主要產(chǎn)品包括石墨電極、高純石墨等石墨制品和碳化硅組件、耐磨材料等結(jié)構(gòu)制品，產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域包括鋼鐵、汽車、機械等。該公司在韓國、中國等國家和地區(qū)均設(shè)有分支機構(gòu)，CVD 碳化硅產(chǎn)品全球市場份額排名第一。

2、崇德昱博（Schunk Xycarb Technology）

該公司成立于1981 年，總部位于荷蘭，主要產(chǎn)品包括碳化硅涂層石墨、石英、陶瓷和硅產(chǎn)品，以支持下一代半導(dǎo)體、光電、太陽能和硅設(shè)備和應(yīng)用的制造。

目前其產(chǎn)品在純度和均勻?qū)映练e等性能方面處于行業(yè)領(lǐng)先地位，銷售額居中國市場首位。

3、西格里碳素（SGL Carbon）

該公司成立于2009 年，總部位于德國，法蘭克福證券交易所上市（股票代碼：SGL.DF），是世界領(lǐng)先的石墨及復(fù)合材料產(chǎn)品制造商之一，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車、航空航天、太陽能、風能以及半導(dǎo)體、LED 和鋰離子電池等領(lǐng)域。該公司在全球擁有29 個生產(chǎn)基地，在100 多個國家/地區(qū)設(shè)有服務(wù)網(wǎng)絡(luò)。

4、東洋炭素（Toyo Tanso）

該公司成立于1947 年，總部位于日本，東京證券交易所上市（股票代碼：5310.T），是全球最大的高性能碳產(chǎn)品提供商之一，主要產(chǎn)品包括特種石墨制品、一般工業(yè)用碳產(chǎn)品、復(fù)合材料及其他產(chǎn)品。目前該公司已在中國、美洲、歐洲、亞洲等全球十多個國家建立了生產(chǎn)和銷售基地。

5、闊斯泰（CoorsTek）

該公司成立于1870 年，總部位于美國，是全球知名的先進陶瓷產(chǎn)品提供商之一，主要產(chǎn)品包括氧化鋁陶瓷、氮化鋁陶瓷、碳化硅陶瓷及其他產(chǎn)品。目前該公司已在日本、歐洲等地建立了研發(fā)中心并已進入中國市場。

（三）中國半導(dǎo)體設(shè)備零部件行業(yè)的核心玩家

根據(jù)公開信息查詢，目前國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備零部件行業(yè)中可以提供碳化硅零部件相關(guān)產(chǎn)品的主要企業(yè)有德智新材料、六方科技等企業(yè)，但半導(dǎo)體設(shè)備用的碳化硅零部件產(chǎn)品經(jīng)營規(guī)模較小，前述企業(yè)均未上市，相關(guān)信息有限。除此之外，下文還列示了三家國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備零部件、材料行業(yè)已上市主要企業(yè)。

1、德智新材料

該公司成立于2017 年，是一家專業(yè)從事碳化硅納米鏡面涂層及基復(fù)合材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)，致力于研發(fā)生產(chǎn)碳化硅涂層石墨盤等產(chǎn)品。

2、六方科技

該公司成立于2018 年，致力于半導(dǎo)體新材料的研發(fā)，聚焦于碳化硅涂層技術(shù)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用，其主要產(chǎn)品包括涂層石墨托盤及其他部件。公司生產(chǎn)的其他碳化硅涂層產(chǎn)品在航空航天等行業(yè)也有應(yīng)用。

3、成都超純

該公司成立于2005 年，是一家以技術(shù)為先導(dǎo)的半導(dǎo)體刻蝕器件、高功率激光器件和特種陶瓷的國家高新技術(shù)制造企業(yè)。該公司可為半導(dǎo)體刻蝕器件和MOCVD 器件提供專業(yè)的表面處理服務(wù)，制備碳化物和氮化物。

4、富創(chuàng)精密

富創(chuàng)精密（688409.SH）成立于2008 年，是國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備零部件的領(lǐng)軍企業(yè)之一，主要產(chǎn)品包括工藝零部件、結(jié)構(gòu)零部件、模組產(chǎn)品和氣體管路四大類，應(yīng)用于半導(dǎo)體設(shè)備、泛半導(dǎo)體設(shè)備及其他領(lǐng)域。

5、神工股份

神工股份（688233.SH）成立于2013 年，是國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體級單晶硅材料供應(yīng)商，主營業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體級單晶硅材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司核心產(chǎn)品為大尺寸高純度半導(dǎo)體級單晶硅材料，目前主要應(yīng)用于加工制成半導(dǎo)體級單晶硅部件，是晶圓制造刻蝕環(huán)節(jié)所必需的耗材。

6、金博股份

金博股份（688598.SH）成立于2005 年，主要從事先進碳基復(fù)合材料及產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，公司先進碳基復(fù)合材料坩堝、導(dǎo)流筒、保溫筒等產(chǎn)品在晶硅制造熱場系統(tǒng)得到推廣和應(yīng)用，逐步對高純等靜壓石墨產(chǎn)品進行進口替代及升級換代。

四、半導(dǎo)體設(shè)備碳化硅（SiC）零部件行業(yè)的進入壁壘和發(fā)展趨勢

（一）進入壁壘

1、技術(shù)壁壘

LED 外延片、SiC 外延片、Si 外延片制備及集成電路制造過程中，反應(yīng)腔內(nèi)為高溫環(huán)境、氣氛惡劣，對內(nèi)部零部件損傷大。碳化硅材料零部件的精密度、純度和耐腐蝕能力對晶圓、芯片質(zhì)量、良率有較大影響，因此半導(dǎo)體設(shè)備廠商及外延片廠商、晶圓廠商對供應(yīng)商碳化硅零部件產(chǎn)品性能及技術(shù)要求較高。

碳化硅晶體生長本身也具有一定的工藝條件限制，其生長過程受溫度、壓力、氣氛等因素影響，對生產(chǎn)設(shè)備、制備方法、工藝配方及操作人員的技術(shù)水平等要求較高。因此，掌握并應(yīng)用先進生產(chǎn)設(shè)備和產(chǎn)品制備工藝是進入碳化硅零部件行業(yè)的主要壁壘之一。

2、資金壁壘

半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅零部件產(chǎn)業(yè)是技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，對核心技術(shù)要求極高，企業(yè)發(fā)展初期階段需要持續(xù)資金投入研發(fā)，引入先進技術(shù)人才，購置或開發(fā)研發(fā)設(shè)備，進行工藝路線摸索、研發(fā)試制、客戶驗證及導(dǎo)入等。產(chǎn)品和技術(shù)研發(fā)成功后，一方面，碳化硅零部件工業(yè)化制備需要投入大量資金用于廠房土地及生產(chǎn)線建設(shè)、生產(chǎn)設(shè)備購置及改造、原材料采購、生產(chǎn)人員招聘及培訓(xùn)、產(chǎn)品備貨等，所需生產(chǎn)設(shè)備包括純化爐、CNC 設(shè)備、CVD 沉積爐、檢測設(shè)備等各相關(guān)設(shè)備；另一方面，企業(yè)也需要持續(xù)投入資金開展研發(fā)工作，以支持技術(shù)、工藝更迭、產(chǎn)品持續(xù)改進、新產(chǎn)品開發(fā)等。持續(xù)投入資金進行研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)均是擬進入本行業(yè)企業(yè)的主要壁壘之一。

3、認證壁壘

半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅零部件導(dǎo)入下游設(shè)備廠商、外延片廠商及晶圓廠商客戶，一般需經(jīng)過多道嚴格的檢驗、認證程序，包括對產(chǎn)品外觀、性能、技術(shù)指標、參數(shù)等方面進行檢驗評定；對相關(guān)組件的使用和產(chǎn)品質(zhì)量進行長周期驗證以檢測其穩(wěn)定性情況，對自身設(shè)備運行及內(nèi)部晶圓制備、芯片制備的影響，判斷是否符合自身要求，并將符合要求的產(chǎn)品納入供應(yīng)鏈體系。

半導(dǎo)體設(shè)備零部件企業(yè)的下游客戶對供應(yīng)鏈管理嚴格，在確保供應(yīng)商產(chǎn)品質(zhì)量符合要求以外，還需要保證供應(yīng)鏈安全、穩(wěn)定，零部件行業(yè)新進入企業(yè)需要面對原有供應(yīng)商的產(chǎn)品質(zhì)量對標壓力、產(chǎn)品定價及成本壓力以及下游客戶長周期驗證能否通過的壓力，因而能否順利通過驗證進入下游客戶供應(yīng)鏈體系、并替代競爭對手市場份額亦是進入該行業(yè)的主要壁壘之一。

（二）行業(yè)機遇

1、國產(chǎn)化進程加快

下游客戶對產(chǎn)品穩(wěn)定性要求極高，碳化硅零部件作為半導(dǎo)體制造設(shè)備的零部件，其可靠性直接影響晶圓外延生長、芯片制造的一致性和良率。由于較高的技術(shù)壁壘，該行業(yè)長期被國外大型材料和零部件企業(yè)壟斷。海外大型材料及零部件

企業(yè)雖技術(shù)實力強、發(fā)展時間長、產(chǎn)品矩陣豐富，但碳化硅零部件產(chǎn)品僅為其產(chǎn)品類型之一，相關(guān)產(chǎn)品供貨周期長，定制化水平低，一定程度上制約了我國設(shè)備廠商、外延片廠商、晶圓廠商降成本、擴規(guī)模的進程。

同時，受國際環(huán)境及貿(mào)易政策變化影響，為提高我國半導(dǎo)體設(shè)備及零部件行業(yè)自主可控能力，國產(chǎn)設(shè)備和零部件日益受到國內(nèi)晶圓廠商、外延片廠商青睞。

隨著本土制造商加快技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化速度，未來半導(dǎo)體設(shè)備碳化硅零部件的國產(chǎn)化進程預(yù)計將進一步加快。

2、下游產(chǎn)業(yè)發(fā)展壯大，需求增長

伴隨信息化、網(wǎng)絡(luò)化和知識經(jīng)濟的迅速發(fā)展，特別是在以5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、汽車電子、智能手機、智能穿戴、云計算、大數(shù)據(jù)和安防電子等為代表的新興應(yīng)用領(lǐng)域的強勁需求拉動下，全球半導(dǎo)體市場規(guī)模持續(xù)提升，行業(yè)發(fā)展前景廣闊。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)能的逐步釋放并伴隨著經(jīng)濟增長、政策扶持的雙重支撐，中國大陸正在加速承接全球第三次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，成為驅(qū)動全球半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的新動力。下游應(yīng)用市場的蓬勃發(fā)展驅(qū)動晶圓廠擴產(chǎn)，晶圓廠增加資本開支，因此衍生了巨大的設(shè)備及零部件需求。

以SiC 行業(yè)為例，近年來隨著新能源汽車、光伏逆變器等行業(yè)蓬勃發(fā)展，SiC 開始替代Si 成為功率器件更具性能優(yōu)勢的材料，國內(nèi)外SiC 產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)紛紛擴產(chǎn)，SiC 外延設(shè)備需求持續(xù)上升，產(chǎn)線上存量SiC 外延設(shè)備的利用率居高不下，因此相關(guān)設(shè)備零部件需求量較大。

以LED 行業(yè)為例，Mini/Micro LED 正成為顯示技術(shù)的發(fā)展方向，當前Mini LED 技術(shù)正逐步成熟，在中高端液晶顯示屏背光、LED 顯示屏得到大規(guī)模應(yīng)用。

因此，將帶動MOCVD 設(shè)備及零部件行業(yè)發(fā)展，提高行業(yè)內(nèi)企業(yè)的持續(xù)盈利能力。

（三）潛在挑戰(zhàn)

1、新產(chǎn)品新技術(shù)開發(fā)風險

全球半導(dǎo)體設(shè)備零部件及材料行業(yè)呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面，境外主要企業(yè)擁有長期行業(yè)經(jīng)驗和深度的技術(shù)積累，產(chǎn)品材料選擇及制備、產(chǎn)品工藝配方、制造設(shè)備等均為企業(yè)核心機密。半導(dǎo)體設(shè)備零部件精密程度及專用程度高，下游客戶驗證時間長、通過驗證難度大。我國半導(dǎo)體設(shè)備零部件制造行業(yè)起步較晚，發(fā)展較不充分，國內(nèi)企業(yè)一般通過自主研發(fā)的方式開發(fā)新產(chǎn)品新技術(shù)，在此過程中研發(fā)風險及不確定性大。

2、半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)更新迭代風險

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遵循“一代技術(shù)、一代工藝、一代設(shè)備”的規(guī)律，按照摩爾定律，目前全球集成電路制造工藝已發(fā)展至5 納米及更先進制程，半導(dǎo)體設(shè)備和半導(dǎo)體設(shè)備零部件必須不斷研發(fā)升級、工藝改進，以滿足下游制造需求。一旦半導(dǎo)體設(shè)備更新?lián)Q代，新設(shè)備對零部件的具體需求將同步發(fā)生變化，進而對半導(dǎo)體設(shè)備零部件公司提出新的要求。

3、半導(dǎo)體行業(yè)需求波動風險

半導(dǎo)體設(shè)備零部件行業(yè)受半導(dǎo)體設(shè)備廠商、外延片廠商、晶圓廠商及終端消費市場的需求波動影響較大。若消費電子、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子等終端消費市場需求下降，則會致使半導(dǎo)體設(shè)備廠商、外延片廠商、晶圓廠商產(chǎn)能利用率下降，縮減資本開支，最終造成本行業(yè)的需求產(chǎn)生波動。

2024先進陶瓷在半導(dǎo)體與新能源領(lǐng)域應(yīng)用高峰論壇將定于6月5日在蘇州金陵雅都大酒店隆重舉行！ 論壇將高度圍繞第三代半導(dǎo)體材料，半導(dǎo)體晶圓與芯片制程設(shè)備（如光刻機、等離子刻蝕機、離子注入機、熱處理爐、擴散爐、CVD設(shè)備）用精密陶瓷零部件、新能源汽車用陶瓷軸承、半導(dǎo)體功率器件及封裝、涵蓋半導(dǎo)體新能源行業(yè)應(yīng)用的陶瓷新材料、精密陶瓷零部件制備新工藝、燒結(jié)新技術(shù)、新裝備及產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，而舉辦的一場高端論壇與互動交流活動，誠邀您蒞臨參會！

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參考資料：

中國國際先進陶瓷展覽會

IACE CHINA

舉辦地區(qū)：: 上海上海

舉辦地址：: 上海市青浦區(qū)徐涇鎮(zhèn)崧澤大道333號

展覽面積：: 55000㎡

觀眾數(shù)量：: 80000人

所屬行業(yè)：: 陶瓷展會

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半導(dǎo)體設(shè)備碳化硅（SiC）零部件行業(yè)研究報告