2024年11月18日

第104屆中國電子展

盛大開幕

第二天展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)持續(xù)火熱

展商、觀眾熱情高漲

現(xiàn)場(chǎng)人氣滿滿

精彩紛呈

開展第二天，我們繼續(xù)深入現(xiàn)場(chǎng)探尋，這些新興的第三代半導(dǎo)體企業(yè)帶來了哪些令人矚目的新看點(diǎn)呢？

碳化硅SiC

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的典型代表，具有高臨界磁場(chǎng)、高電子飽和速度與極高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，使得其器件適用于高頻高溫的應(yīng)用場(chǎng)景，相較于硅器件，碳化硅器件可以顯著降低開關(guān)損耗。因此，碳化硅可以制造高耐壓、大功率的電力電子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用于智能電網(wǎng)、新能源汽車等行業(yè)。

根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)發(fā)布的報(bào)告顯示，受益于純電動(dòng)汽車應(yīng)用需求的增長，2023年全球SiC（碳化硅）功率器件市場(chǎng)保持了強(qiáng)勁成長，前五大SiC功率器件供應(yīng)商約占整個(gè)市場(chǎng)營收的91.9%。國內(nèi)廠商近年來在碳化硅領(lǐng)域的發(fā)展也十分迅速，特別是在碳化硅功率器件方面，國內(nèi)企業(yè)的市場(chǎng)占有率正在快速提升。

煙臺(tái)臺(tái)芯電子科技有限公司（3A066）

煙臺(tái)臺(tái)芯電子科技有限公司創(chuàng)立于2017年，主營業(yè)務(wù)包括IGBT芯片設(shè)計(jì)、研發(fā)，IGBT功率模塊和單管封裝、生產(chǎn)、檢測(cè)和銷售，以及第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC器件的研發(fā)和生產(chǎn),目前公司已通過武器裝備質(zhì)量管理體系、質(zhì)量管理體系、環(huán)境管理體系、職業(yè)健康安全管理體系、知識(shí)產(chǎn)權(quán)管理體系、IATF16949汽車業(yè)質(zhì)量管理體系、兩化融合體系等認(rèn)證，多個(gè)系列產(chǎn)品通過UL、RoHS認(rèn)證。

公司產(chǎn)品主要面向感應(yīng)加熱、變頻器、光伏、儲(chǔ)能、新能源汽車、充電樁、風(fēng)力發(fā)電、智能電網(wǎng)等新能源領(lǐng)域，先后獲得國家高新技術(shù)企業(yè)、科技型中小企業(yè)、山東省“專精特新”中小企業(yè)、山東省瞪羚企業(yè)、煙臺(tái)市一企一技術(shù)中心、煙臺(tái)市工業(yè)設(shè)計(jì)中心等稱號(hào)。

陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司（2B012）

陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心成立雖然不滿十年，但一直在致力于加快半導(dǎo)體前沿關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新，推動(dòng)以先進(jìn)半導(dǎo)體器件和第三代半導(dǎo)體為核心的產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新，服務(wù)于中國先進(jìn)半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新和成果轉(zhuǎn)化。

目前，碳化硅肖特基二極管已經(jīng)量產(chǎn)4款產(chǎn)品，具備650V-1700V SBD芯片和器件全系列產(chǎn)品的研發(fā)能力；碳化硅MOSFET已經(jīng)量產(chǎn)7款產(chǎn)品，具備1200V-3300V MOSFET芯片和器件全系列產(chǎn)品的研發(fā)能力；此外，碳化硅模塊也已量產(chǎn)7款產(chǎn)品，且正在研發(fā)1款產(chǎn)品。

近日，陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司又申請(qǐng)了一項(xiàng)名為“一種帶有突出P阱的UMOSFET器件及其制備方法”的新專利。該專利的創(chuàng)新點(diǎn)在于其器件設(shè)計(jì)和制備工藝，旨在顯著改善UMOSFET（絕緣柵雙極型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的性能。這一技術(shù)的突破，預(yù)示著未來半導(dǎo)體器件的發(fā)展將邁出重要的一步。

氮化鎵GaN

氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料的佼佼者，憑借其優(yōu)異的電氣性能、高熱導(dǎo)率、電子飽和率和耐輻射性等特性，在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。與傳統(tǒng)的硅材料相比，氮化鎵能夠在更高的頻率和功率下工作，顯著提升設(shè)備的性能和效率。這一優(yōu)勢(shì)使得氮化鎵在消費(fèi)電子、電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心等多個(gè)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

隨著氮化鎵技術(shù)的不斷成熟和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展，其市場(chǎng)規(guī)模正呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長態(tài)勢(shì)。據(jù)預(yù)測(cè)，到2030年，氮化鎵市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到數(shù)十億美元。面對(duì)氮化鎵技術(shù)的廣闊市場(chǎng)前景，國際芯片巨頭紛紛加大布局力度。與此同時(shí)，國內(nèi)廠商也在積極追趕，不斷提升自身在氮化鎵領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。

杭州東漸氮化鎵半導(dǎo)體有限公司（2A062）

杭州東漸氮化鎵半導(dǎo)體有限公司作為一家專注于氮化鎵半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)的新興企業(yè)，致力于推動(dòng)氮化鎵技術(shù)在電力電子、低空探測(cè)導(dǎo)航控制、5G/6G通信、新能源汽車、醫(yī)療等領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用，為客戶提供氮化鎵半導(dǎo)體解決方案。

雖然成立僅有半年多，但在場(chǎng)景應(yīng)用落地方面，杭州東漸氮化鎵半導(dǎo)體有限公司卻下有先手。不久前，該公司即與上海海神機(jī)器人科技有限公司簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將聯(lián)合研發(fā)適用于海、陸、空機(jī)器人的新一代高性能芯片；同時(shí)，打造“光儲(chǔ)充一體化”與“智慧物業(yè)管理機(jī)器人”的多場(chǎng)景應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)多維度降本增效。

上海海神機(jī)器人科技有限公司是知名“無人車+無人機(jī)+無人船”立體安防無人裝備制造商，核心技術(shù)包括自動(dòng)駕駛、遠(yuǎn)程駕駛、艦載起降、域控制器、整車制造和智控云平臺(tái)等。達(dá)成戰(zhàn)略合作，有望推動(dòng)氮化鎵技術(shù)在機(jī)器人領(lǐng)域的滲透應(yīng)用，因?yàn)榈壖夹g(shù)的應(yīng)用可以提高機(jī)器人驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的能效比、熱管理性能，并實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計(jì)。氮化鎵器件的高速開關(guān)特性也有助于提高開關(guān)頻率，減少電機(jī)電流紋波，降低電機(jī)溫度，提升系統(tǒng)效率。

廣東中科半導(dǎo)體微納制造技術(shù)研究院（2B050）

廣東中科半導(dǎo)體微納制造技術(shù)研究院一期投入12億元，在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域布局“半導(dǎo)體微納加工、半導(dǎo)體材料外延與表征”兩大中試平臺(tái)，二、三期打造華南地區(qū)條件最完善、產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋最齊全的技術(shù)驅(qū)動(dòng)型半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園，通過中試平臺(tái)+產(chǎn)業(yè)孵化育成模式，建設(shè)具有全國影響力的半導(dǎo)體工程化創(chuàng)新平臺(tái)、產(chǎn)業(yè)培育基地及工程化人才培養(yǎng)基地。

該單位的半導(dǎo)體微納加工平臺(tái)，具備8英寸硅晶圓及8英寸硅基氮化鎵（GaN）晶圓加工能力，并兼容2英寸、4英寸、6英寸晶圓加工，提供中試流片、產(chǎn)線共建、技術(shù)咨詢等服務(wù)；半導(dǎo)體材料外延與表征平臺(tái)，可提供2-8英寸氮化鎵材料外延生長、材料（器件）表征測(cè)試、器件封裝等服務(wù)。佛山半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園，聚焦芯片制造及其上下游領(lǐng)域，建有千級(jí)、萬級(jí)超凈廠房超5萬平米，資質(zhì)完善、配套齊全，實(shí)現(xiàn)企業(yè)入駐即生產(chǎn)。

金剛石

金剛石相對(duì)于碳化硅和氮化鎵略欠成熟，但因其具有超寬禁帶、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高載流子飽和漂移速度、高熱導(dǎo)率等材料特性，以及優(yōu)異的器件品質(zhì)因子，作為襯底可研制高溫、高頻、大功率、抗輻照電子器件，克服器件的“自熱效應(yīng)”和“雪崩擊穿”等技術(shù)瓶頸。

這些特性使得金剛石在芯片制造領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力，常被用于高功率密度、高頻率電子器件的散熱。在5G/6G通信，微波/毫米波集成電路、探測(cè)與傳感等領(lǐng)域發(fā)展起到重要作用。金剛石半導(dǎo)體也因此被認(rèn)為是極具前景的新型半導(dǎo)體材料，被業(yè)界譽(yù)為“終極半導(dǎo)體材料”。

河南科之誠第三代半導(dǎo)體碳基芯片有限公司（2A068）

河南科之誠第三代半導(dǎo)體碳基芯片有限公司作為國內(nèi)金剛石半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)，在其金剛石晶圓產(chǎn)線正式投產(chǎn)，并發(fā)布了首款產(chǎn)品——3.5GHz金剛石基聲表面波高頻濾波器之后，使這一采用全新技術(shù)路線、具備顛覆性創(chuàng)新的產(chǎn)品，終于從實(shí)驗(yàn)室走到了生產(chǎn)線。

該公司選擇金剛石作為晶圓材料，借助其極高的硬度、優(yōu)異的導(dǎo)熱性和介電損耗等優(yōu)異性能，攻克了大面積硅基異質(zhì)金剛石薄膜沉積、多元素重?fù)诫s壓電薄膜沉積等關(guān)鍵工藝，通過在材料和工藝兩方面的創(chuàng)新，繞開了國外的專利壁壘，成功實(shí)現(xiàn)了金剛石基壓電多層膜晶圓的規(guī)?；a(chǎn)，使高頻濾波器的生產(chǎn)工藝大大簡(jiǎn)化，例如過去20道光刻才能實(shí)現(xiàn)的高頻濾波器的電路集成，金剛石基晶圓片上只需2道即可完成?；诖?，金剛石基的高頻濾波器還做到了尺寸縮短45%，成本減少90%。

除了濾波器，該公司還發(fā)布了一款金剛石基功率放大器，這同樣是射頻芯片的重要部件之一，據(jù)介紹，相較于傳統(tǒng)材料的功率放大器，新品可實(shí)現(xiàn)同等運(yùn)行性能下溫度降低25%以上。

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參考資料：

上海電子展-中國電子展

舉辦地區(qū)：

上海 上海

舉辦地址：

上海市浦東新區(qū)龍陽路2345號(hào)

展覽面積：

60000㎡

觀眾數(shù)量：

60158人

所屬行業(yè)：

電子展會(huì)