2025年11月5日至7日，第106屆中國電子展將在上海新國際博覽中心盛大舉辦。本屆展會以“創(chuàng)新強基 智造升級”為主題，攜手2025年秋季全國特種電子元器件展覽會、2025中國半導體產業(yè)與應用博覽會，全面展示我國電子信息技術的最新成果。

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— 參展企業(yè)簡介 —

陜西半導體先導技術中心有限公司

展位號：5A051

陜西半導體先導技術中心有限公司成立于2018年4月，是在陜西省委、省政府支持下，由央企、地方國企、政府出資平臺和高校共同投資成立的企業(yè)化運營共性技術研發(fā)平臺。主要致力于加快半導體前沿關鍵技術研發(fā)創(chuàng)新，推動先進半導體器件和第三代半導體為核心的產業(yè)創(chuàng)新體系。

先導中心依托西安電子科技大學第三代半導體的核心技術，成功研發(fā)基于SiC、GaN產品，現(xiàn)已形成進50款芯片、20款模塊、10款模組產品，其中部分芯片可實現(xiàn)國產替代，少數(shù)產品和技術填補了國內空白。

— 展示范圍 —

1200V 600/800A HPD碳化硅模塊

該款產品使用高可靠性基板Si?N?，應用多芯片并聯(lián)均流技術，低寄生參數(shù)，具備極低開關損耗與導通損耗。適用于要求嚴苛的高效率轉換系統(tǒng)，如機控制器、新能源汽車、工業(yè)變頻器。

1200V 100A H橋全碳化硅模塊

1200V 100A 三電平全碳化硅模塊

先導中心兩款完全國產化的1200V 100A全碳化硅模塊，具備功率密度高、性能穩(wěn)定、損耗更低等優(yōu)勢，支持按需配置。廣泛應用于高頻開關電源、DC/DC變流器、電動汽車充電及太陽能逆變等領域，是實現(xiàn)高效電能轉換的核心器件。

62mm碳化硅半橋高頻模組

本模組集成自研1200V 300A 62mmSiC模塊與200kHz高頻驅動，專為感應加熱優(yōu)化。其碳化硅內核高頻低損耗的特性，突破IGBT方案頻率瓶頸，避免了復雜的多管并聯(lián)，簡化設計、降低成本并大幅提升系統(tǒng)可靠性與穩(wěn)定性。

1200V 900A ED3碳化硅模塊

基于碳化硅材料，本1200V 900A模塊具備顯著技術優(yōu)勢：開關頻率高，損耗較IGBT降低70%以上，系統(tǒng)效率顯著提升；結溫耐受達175°C，高溫性能穩(wěn)定，功率密度更高。廣泛應用于新能源汽車800V平臺、工業(yè)儲能及超充樁等高端領域。